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2017年6月4日星期日
華富財經 … (美國商業資訊)–東芝(TOKYO:6502)已成功研發出全隔離N溝道橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術，解決了負偏壓擊穿電壓(BVnb)和HBM穩固性(衡量抗靜電放電(ESD)性的指標)之間的權衡問題。該技術成果的詳情於2017年6月1日在功率半導體元件與積體 … 更多 » |
Source: 新聞
2017年6月4日星期日 – 華富財經
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2017年6月4日星期日
華富財經 … (美國商業資訊)–東芝(TOKYO:6502)已成功研發出全隔離N溝道橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術，解決了負偏壓擊穿電壓(BVnb)和HBM穩固性(衡量抗靜電放電(ESD)性的指標)之間的權衡問題。該技術成果的詳情於2017年6月1日在功率半導體元件與積體 … 更多 » |
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2017年6月4日星期日 – 華富財經
